AMA410N Todos los transistores

 

AMA410N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMA410N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2
 

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AMA410N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  analog power
 ama410n.pdf pdf_icon

AMA410N

Analog Power AMA410NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V4.7 Low thermal impedance 10099 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

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History: PP9H06BEA | PR812BA33 | BLP03N08-BA | 11NM70L-TMS2-T | PV555BA | STSJ25NF3LL | BLS60R150F-W

 

 
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