AMA410N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMA410N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm

Encapsulados: DFN2X2

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AMA410N datasheet

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AMA410N

Analog Power AMA410N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 92 @ VGS = 10V 4.7 Low thermal impedance 100 99 @ VGS = 4.5V 4.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Otros transistores... 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002, AOD4184A, AMA420N, AMA421P, AMA423P, AMA430N, AMA433P, AMA440N, AMA450N, AMA460N