Справочник MOSFET. AMA410N

 

AMA410N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMA410N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2
 

 Аналог (замена) для AMA410N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA410N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:332K  analog power
 ama410n.pdf pdf_icon

AMA410N

Analog Power AMA410NN-Channel 100-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)92 @ VGS = 10V4.7 Low thermal impedance 10099 @ VGS = 4.5V4.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications: LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие MOSFET... 8N80B , MSAEX8P50A , NID9N05ACL , 9N25A , 9N25AF , 9N90B , 9N90C , AMA2N7002 , HY1906P , AMA420N , AMA421P , AMA423P , AMA430N , AMA433P , AMA440N , AMA450N , AMA460N .

History: IRLIZ24NPBF | ME25N15AL-G | HYG400P10LR1D | ME2308DN-G | KHB8D8N25F | RUH1H150S | IRFS11N50A

 

 
Back to Top

 


 
.