AMA410N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMA410N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 66 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.092 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2

Аналог (замена) для AMA410N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA410N даташит

 ..1. Size:332K  analog power
 ama410n.pdf pdf_icon

AMA410N

Analog Power AMA410N N-Channel 100-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 92 @ VGS = 10V 4.7 Low thermal impedance 100 99 @ VGS = 4.5V 4.5 Fast switching speed DFN2X2 Typical Applications LED Inverter Circuits DC/DC Conversion Circuits Motor drives ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA

Другие IGBT... 8N80B, MSAEX8P50A, NID9N05ACL, 9N25A, 9N25AF, 9N90B, 9N90C, AMA2N7002, AOD4184A, AMA420N, AMA421P, AMA423P, AMA430N, AMA433P, AMA440N, AMA450N, AMA460N