AMA930N Todos los transistores

 

AMA930N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMA930N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.063 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6
 

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AMA930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  analog power
 ama930n.pdf pdf_icon

AMA930N

Analog Power AMA930NDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARYKey Features:rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technologyDS(on)63 @ VGS = 4.5V4.4 Low thermal impedance30110 @ VGS = 2.5V3.4 Fast switching speedTypical Applications: White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion CircuitsABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:305K  analog power
 ama931pe.pdf pdf_icon

AMA930N

Analog Power AMA931PEDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on)220 @ VGS = -4.5V -2.2 Low thermal impedance -30300 @ VGS = -2.5V -1.9 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications: Load switches Bottom View Low power buck/boost converters Power routing in batt

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History: GSM3416 | CHM8206JGP | RFD7N10LESM | 2SK2111

 

 
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