AMA930N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMA930N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.063 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6

Аналог (замена) для AMA930N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA930N даташит

 ..1. Size:367K  analog power
 ama930n.pdf pdf_icon

AMA930N

Analog Power AMA930N Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 63 @ VGS = 4.5V 4.4 Low thermal impedance 30 110 @ VGS = 2.5V 3.4 Fast switching speed Typical Applications White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits ABSOLUTE MAXIMUM R

 9.1. Size:305K  analog power
 ama931pe.pdf pdf_icon

AMA930N

Analog Power AMA931PE Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID(A) Low r trench technology DS(on) 220 @ VGS = -4.5V -2.2 Low thermal impedance -30 300 @ VGS = -2.5V -1.9 Fast switching speed DFN2x2-6L Typical Applications Load switches Bottom View Low power buck/boost converters Power routing in batt

Другие IGBT... AMA440N, AMA450N, AMA460N, AMA461P, AMA520C, AMA920N, AMA921P, AMA922N, IRFP460, AMA931PE, AMA960N, AMB430N, AMCC431P, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE