AMA960N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMA960N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6

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AMA960N datasheet

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AMA960N

Analog Power AMA960N Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 260 @ VGS = 10V 2.0 Low thermal impedance 60 330 @ VGS = 4.5V 1.8 Fast switching speed Typical Applications DFN2x2-6L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

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