AMA960N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMA960N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMA960N

AMA960N Datasheet (PDF)

..1. Size:309K analog power
ama960n.pdf

Analog Power AMA960NDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)260 @ VGS = 10V2.0 Low thermal impedance 60330 @ VGS = 4.5V1.8 Fast switching speed Typical Applications: DFN2x2-6L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

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History: AM7000N | STI28N60M2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: