Справочник MOSFET. AMA960N

 

AMA960N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMA960N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA960N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  analog power
 ama960n.pdf pdf_icon

AMA960N

Analog Power AMA960NDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)260 @ VGS = 10V2.0 Low thermal impedance 60330 @ VGS = 4.5V1.8 Fast switching speed Typical Applications: DFN2x2-6L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CES2342 | OSG55R074HSZF | FDC654P | PNMET20V06E | 2SK1501 | TX15N10B | IXFX30N110P

 

 
Back to Top

 


 
.