AMA960N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMA960N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6

Аналог (замена) для AMA960N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA960N даташит

 ..1. Size:309K  analog power
 ama960n.pdf pdf_icon

AMA960N

Analog Power AMA960N Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 260 @ VGS = 10V 2.0 Low thermal impedance 60 330 @ VGS = 4.5V 1.8 Fast switching speed Typical Applications DFN2x2-6L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

Другие IGBT... AMA460N, AMA461P, AMA520C, AMA920N, AMA921P, AMA922N, AMA930N, AMA931PE, IRF640, AMB430N, AMCC431P, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, AMD510C