Справочник MOSFET. AMA960N

 

AMA960N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMA960N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6
 

 Аналог (замена) для AMA960N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMA960N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  analog power
 ama960n.pdf pdf_icon

AMA960N

Analog Power AMA960NDual N-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)260 @ VGS = 10V2.0 Low thermal impedance 60330 @ VGS = 4.5V1.8 Fast switching speed Typical Applications: DFN2x2-6L White LED boost converters Automotive Systems Industrial DC/DC Conversion Circuits

Другие MOSFET... AMA460N , AMA461P , AMA520C , AMA920N , AMA921P , AMA922N , AMA930N , AMA931PE , IRFP460 , AMB430N , AMCC431P , AMCC530C , AMCC920NE , AMCC921PE , AMCC922NE , AMCC924NE , AMD510C .

History: SWI4N70K | AO4926 | 2SK1294 | RUM003N02T2L | SSG4932N | JCS7N80FH | TPD60R600MFD

 

 
Back to Top

 


 
.