AMB430N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMB430N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: DFN1.6X1.6-6L

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AMB430N datasheet

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AMB430N

Analog Power AMB430N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 24 @ VGS = 10V 7.7 Low thermal impedance 30 37 @ VGS = 4.5V 6.2 Fast switching speed Typical Applications DFN1.6x1.6-6L Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIM

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