Справочник MOSFET. AMB430N

 

AMB430N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMB430N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: DFN1.6X1.6-6L
 

 Аналог (замена) для AMB430N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMB430N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  analog power
 amb430n.pdf pdf_icon

AMB430N

Analog Power AMB430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)24 @ VGS = 10V7.7 Low thermal impedance 3037 @ VGS = 4.5V6.2 Fast switching speed Typical Applications: DFN1.6x1.6-6L Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... AMA461P , AMA520C , AMA920N , AMA921P , AMA922N , AMA930N , AMA931PE , AMA960N , IRF1404 , AMCC431P , AMCC530C , AMCC920NE , AMCC921PE , AMCC922NE , AMCC924NE , AMD510C , AMD530C .

History: SFW9634 | PHB108NQ03LT

 

 
Back to Top

 


 
.