AMB430N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMB430N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: DFN1.6X1.6-6L

Аналог (замена) для AMB430N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMB430N даташит

 ..1. Size:286K  analog power
 amb430n.pdf pdf_icon

AMB430N

Analog Power AMB430N N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 24 @ VGS = 10V 7.7 Low thermal impedance 30 37 @ VGS = 4.5V 6.2 Fast switching speed Typical Applications DFN1.6x1.6-6L Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIM

Другие IGBT... AMA461P, AMA520C, AMA920N, AMA921P, AMA922N, AMA930N, AMA931PE, AMA960N, IRF1404, AMCC431P, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, AMD510C, AMD530C