AMB430N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AMB430N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: DFN1.6X1.6-6L
Аналог (замена) для AMB430N
AMB430N Datasheet (PDF)
amb430n.pdf

Analog Power AMB430NN-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)24 @ VGS = 10V7.7 Low thermal impedance 3037 @ VGS = 4.5V6.2 Fast switching speed Typical Applications: DFN1.6x1.6-6L Power Routing Li Ion Battery Packs Level Shifting and Driver Circuits ABSOLUTE MAXIM
Другие MOSFET... AMA461P , AMA520C , AMA920N , AMA921P , AMA922N , AMA930N , AMA931PE , AMA960N , IRF1404 , AMCC431P , AMCC530C , AMCC920NE , AMCC921PE , AMCC922NE , AMCC924NE , AMD510C , AMD530C .
History: ME4454 | QS8M13 | IRF7476PBF | HM2302E | AO3401A | SSF8205UH2 | AUIRLS3034-7P
History: ME4454 | QS8M13 | IRF7476PBF | HM2302E | AO3401A | SSF8205UH2 | AUIRLS3034-7P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet