AMCC431P Todos los transistores

 

AMCC431P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMCC431P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3
 

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AMCC431P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  analog power
 amcc431p.pdf pdf_icon

AMCC431P

Analog Power AMCC431PP-Channel 30-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 60 @ VGS = -10V -5.9converters and power management in portable and -3090 @ VGS = -4.5V -4.8b

Otros transistores... AMA520C , AMA920N , AMA921P , AMA922N , AMA930N , AMA931PE , AMA960N , AMB430N , IRFP260N , AMCC530C , AMCC920NE , AMCC921PE , AMCC922NE , AMCC924NE , AMD510C , AMD530C , AMD531C .

History: SI4634DY | J300 | IRFH5215 | KHB7D0N80P1 | WMM12N105C2 | RUM002N02T2L | DG4N65-TO252

 

 
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