AMCC431P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMCC431P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3

Аналог (замена) для AMCC431P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMCC431P даташит

 ..1. Size:104K  analog power
 amcc431p.pdf pdf_icon

AMCC431P

Analog Power AMCC431P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 60 @ VGS = -10V -5.9 converters and power management in portable and -30 90 @ VGS = -4.5V -4.8 b

Другие IGBT... AMA520C, AMA920N, AMA921P, AMA922N, AMA930N, AMA931PE, AMA960N, AMB430N, IRLZ44N, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, AMD510C, AMD530C, AMD531C