AMD510C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMD510C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de AMD510C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AMD510C datasheet

 ..1. Size:77K  analog power
 amd510c.pdf pdf_icon

AMD510C

Analog Power AMD510C P & N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 160 @ V = 4.5V 15 GS 100 converters and power management in portable and 140 @ V = 10V 16

Otros transistores... AMA960N, AMB430N, AMCC431P, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, IRF3710, AMD530C, AMD531C, AMD532C, AMD533CE, AMD534C, AMD534CE, AMD540CE, AMF920NE