AMD510C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AMD510C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Carga de la puerta (Qg): 10 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AMD510C

AMD510C Datasheet (PDF)

..1. Size:77K analog power
amd510c.pdf

Analog Power AMD510CP & N-Channel 100-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 160 @ V = 4.5V 15GS100converters and power management in portable and 140 @ V = 10V 16

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History: IRFR5410TR

Liste

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