AMD510C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMD510C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для AMD510C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMD510C даташит

 ..1. Size:77K  analog power
 amd510c.pdf pdf_icon

AMD510C

Analog Power AMD510C P & N-Channel 100-V (D-S) MOSFET These miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARY high cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m( ) ID (A) rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 160 @ V = 4.5V 15 GS 100 converters and power management in portable and 140 @ V = 10V 16

Другие IGBT... AMA960N, AMB430N, AMCC431P, AMCC530C, AMCC920NE, AMCC921PE, AMCC922NE, AMCC924NE, IRF3710, AMD530C, AMD531C, AMD532C, AMD533CE, AMD534C, AMD534CE, AMD540CE, AMF920NE