Справочник MOSFET. AMD510C

 

AMD510C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMD510C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для AMD510C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMD510C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:77K  analog power
 amd510c.pdf pdf_icon

AMD510C

Analog Power AMD510CP & N-Channel 100-V (D-S) MOSFETThese miniature surface mount MOSFETs utilize a PRODUCT SUMMARYhigh cell density trench process to provide low VDS (V) rDS(on) m() ID (A)rDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applications are DC-DC 160 @ V = 4.5V 15GS100converters and power management in portable and 140 @ V = 10V 16

Другие MOSFET... AMA960N , AMB430N , AMCC431P , AMCC530C , AMCC920NE , AMCC921PE , AMCC922NE , AMCC924NE , P55NF06 , AMD530C , AMD531C , AMD532C , AMD533CE , AMD534C , AMD534CE , AMD540CE , AMF920NE .

History: UTT25P10L | KP8N65D

 

 
Back to Top

 


 
.