AMR860N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMR860N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AMR860N datasheet

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AMR860N

Analog Power AMR860N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 9 @ VGS = 10V 20 Low thermal impedance 60 12 @ VGS = 4.5V 17 Fast switching speed Typical Applications DFN5x6-8L DC/DC Conversion Circuits D1 S1 Motor Drives Battery Powered Power Tools G D1 G D2

Otros transistores... AMR430N, AMR432N, AMR434N, AMR460N, AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, K3569, AMR930N, AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG