AMR860N Todos los transistores

 

AMR860N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMR860N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AMR860N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  analog power
 amr860n.pdf pdf_icon

AMR860N

Analog Power AMR860NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9 @ VGS = 10V20 Low thermal impedance 6012 @ VGS = 4.5V17 Fast switching speed Typical Applications: DFN5x6-8L DC/DC Conversion Circuits D1 S1 Motor Drives Battery Powered Power Tools G D1 G D2

Otros transistores... AMR430N , AMR432N , AMR434N , AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , SPP20N60C3 , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG .

History: IPB114N03LG | SM4066CSK

 

 
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