Справочник MOSFET. AMR860N

 

AMR860N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMR860N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AMR860N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR860N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  analog power
 amr860n.pdf pdf_icon

AMR860N

Analog Power AMR860NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9 @ VGS = 10V20 Low thermal impedance 6012 @ VGS = 4.5V17 Fast switching speed Typical Applications: DFN5x6-8L DC/DC Conversion Circuits D1 S1 Motor Drives Battery Powered Power Tools G D1 G D2

Другие MOSFET... AMR430N , AMR432N , AMR434N , AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , SPP20N60C3 , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.