AMR860N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMR860N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AMR860N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR860N даташит

 ..1. Size:186K  analog power
 amr860n.pdf pdf_icon

AMR860N

Analog Power AMR860N N-Channel 60-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 9 @ VGS = 10V 20 Low thermal impedance 60 12 @ VGS = 4.5V 17 Fast switching speed Typical Applications DFN5x6-8L DC/DC Conversion Circuits D1 S1 Motor Drives Battery Powered Power Tools G D1 G D2

Другие IGBT... AMR430N, AMR432N, AMR434N, AMR460N, AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, K3569, AMR930N, AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG