Справочник MOSFET. AMR860N

 

AMR860N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMR860N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 33 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR860N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  analog power
 amr860n.pdf pdf_icon

AMR860N

Analog Power AMR860NN-Channel 60-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9 @ VGS = 10V20 Low thermal impedance 6012 @ VGS = 4.5V17 Fast switching speed Typical Applications: DFN5x6-8L DC/DC Conversion Circuits D1 S1 Motor Drives Battery Powered Power Tools G D1 G D2

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: LSDN65R950HT | BRCS200P03DSC | SSF3637S

 

 
Back to Top

 


 
.