AMR930N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMR930N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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AMR930N datasheet

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AMR930N

Analog Power AMR930N Asymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 9 @ VGS = 10V Q1 14 Low thermal impedance 30 15 @ VGS = 4.5V 11 Fast switching speed 3.5 @ VGS = 10V Q2 22 30 5.8 @ VGS = 4.5V 17 Typical Applications DC/DC Conversion DFN5X6-8L ABSOLUTE MAXIMUM RA

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