AMR930N Todos los transistores

 

AMR930N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMR930N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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AMR930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  analog power
 amr930n.pdf pdf_icon

AMR930N

Analog Power AMR930NAsymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9 @ VGS = 10VQ1 14 Low thermal impedance 30 15 @ VGS = 4.5V11 Fast switching speed 3.5 @ VGS = 10VQ2 2230 5.8 @ VGS = 4.5V17Typical Applications: DC/DC Conversion DFN5X6-8L ABSOLUTE MAXIMUM RA

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History: IXFX120N30T | CS4N65A3HD | MSK7804 | HY150N075T | DAMH160N200 | HGK105N15M | MTN7N65FP

 

 
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