AMR930N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMR930N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для AMR930N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR930N даташит

 ..1. Size:419K  analog power
 amr930n.pdf pdf_icon

AMR930N

Analog Power AMR930N Asymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 9 @ VGS = 10V Q1 14 Low thermal impedance 30 15 @ VGS = 4.5V 11 Fast switching speed 3.5 @ VGS = 10V Q2 22 30 5.8 @ VGS = 4.5V 17 Typical Applications DC/DC Conversion DFN5X6-8L ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие IGBT... AMR432N, AMR434N, AMR460N, AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, AMR860N, IRFP260, AMS930N, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G