Справочник MOSFET. AMR930N

 

AMR930N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMR930N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для AMR930N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMR930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:419K  analog power
 amr930n.pdf pdf_icon

AMR930N

Analog Power AMR930NAsymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)9 @ VGS = 10VQ1 14 Low thermal impedance 30 15 @ VGS = 4.5V11 Fast switching speed 3.5 @ VGS = 10VQ2 2230 5.8 @ VGS = 4.5V17Typical Applications: DC/DC Conversion DFN5X6-8L ABSOLUTE MAXIMUM RA

Другие MOSFET... AMR432N , AMR434N , AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , 8205A , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.