AMS930N Todos los transistores

 

AMS930N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AMS930N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
 

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AMS930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  analog power
 ams930n.pdf pdf_icon

AMS930N

Analog Power AMS930NAsymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)28 @ VGS = 5VQ1 20 7.7 Low thermal impedance 16 @ VGS = 5VQ2 30 10.2 Fast switching speed DFN3X3-8L Typical Applications: DC/DC Conversion ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Otros transistores... AMR434N , AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , AON7410 , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J .

History: STB16NF06L | BUK7E4R6-60E | KIA3205S

 

 
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