AMS930N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AMS930N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: DFN3X3-8L

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AMS930N datasheet

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AMS930N

Analog Power AMS930N Asymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 28 @ VGS = 5V Q1 20 7.7 Low thermal impedance 16 @ VGS = 5V Q2 30 10.2 Fast switching speed DFN3X3-8L Typical Applications DC/DC Conversion ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Otros transistores... AMR434N, AMR460N, AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, AMR860N, AMR930N, 4435, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J