Справочник MOSFET. AMS930N

 

AMS930N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMS930N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для AMS930N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMS930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  analog power
 ams930n.pdf pdf_icon

AMS930N

Analog Power AMS930NAsymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)28 @ VGS = 5VQ1 20 7.7 Low thermal impedance 16 @ VGS = 5VQ2 30 10.2 Fast switching speed DFN3X3-8L Typical Applications: DC/DC Conversion ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Другие MOSFET... AMR434N , AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , 2SK3568 , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J .

History: IRFS254B | NVH4L040N120SC1 | P2206BEA | TPAO5404EL

 

 
Back to Top

 


 
.