Справочник MOSFET. AMS930N

 

AMS930N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AMS930N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AMS930N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:396K  analog power
 ams930n.pdf pdf_icon

AMS930N

Analog Power AMS930NAsymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETPRODUCT SUMMARYKey Features: rDS(on) (m)VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on)28 @ VGS = 5VQ1 20 7.7 Low thermal impedance 16 @ VGS = 5VQ2 30 10.2 Fast switching speed DFN3X3-8L Typical Applications: DC/DC Conversion ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2SK3604-01L | IRFI614G | IRLIZ24N | IRLR8203PBF | 2SK278 | FDD86250 | IRLZ44NL

 

 
Back to Top

 


 
.