AMS930N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AMS930N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для AMS930N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AMS930N даташит

 ..1. Size:396K  analog power
 ams930n.pdf pdf_icon

AMS930N

Analog Power AMS930N Asymmetric Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET PRODUCT SUMMARY Key Features rDS(on) (m ) VDS (V) ID (A) Low r trench technology DS(on) 28 @ VGS = 5V Q1 20 7.7 Low thermal impedance 16 @ VGS = 5V Q2 30 10.2 Fast switching speed DFN3X3-8L Typical Applications DC/DC Conversion ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Другие IGBT... AMR434N, AMR460N, AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, AMR860N, AMR930N, 4435, APF7619WS, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J