APF7619WS Todos los transistores

 

APF7619WS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APF7619WS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

APF7619WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 apf7619ws.pdf pdf_icon

APF7619WS

AFP7619WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

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History: SM1110NSC | APT20M120JCU3 | SRT10N230LD56 | AP9402AGYT-HF | STD16NF25 | AP9920GEO | SSM6N29TU

 

 
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