Справочник MOSFET. APF7619WS

 

APF7619WS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: APF7619WS
   Маркировка: 7619WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L

 Аналог (замена) для APF7619WS

 

 

APF7619WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 apf7619ws.pdf

APF7619WS APF7619WS

AFP7619WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top