Справочник MOSFET. APF7619WS

 

APF7619WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APF7619WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для APF7619WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APF7619WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 apf7619ws.pdf pdf_icon

APF7619WS

AFP7619WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

Другие MOSFET... AMR460N , AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , AMS930N , AON7410 , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J , APL602LG .

History: VBE2102M | QM3018D | OSG80R380HF

 

 
Back to Top

 


 
.