APF7619WS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APF7619WS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для APF7619WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APF7619WS даташит

 ..1. Size:587K  alfa-mos
 apf7619ws.pdf pdf_icon

APF7619WS

AFP7619WS Alfa-MOS 30V P-Channel Technology Enhancement Mode MOSFET General Description Features AFP7619WS, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -30V/-8A,RDS(ON)=28m @VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suit

Другие IGBT... AMR460N, AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, AMR860N, AMR930N, AMS930N, SPP20N60C3, APL1001J, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J, APL602LG