APL1001J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APL1001J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227
Búsqueda de reemplazo de APL1001J MOSFET
APL1001J Datasheet (PDF)
apl1001j.pdf

DGAPL1001J 1000V 18.0A 0.60SISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)SINGLE DIE ISOTOP PACKAGEPOWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter UNITAPL1001JVDSS Drain-Source VoltageVolts1000ID Continuous Drain Current @ TC = 25C18A
Otros transistores... AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , SPP20N60C3 , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL .
History: IXTH5N100 | BLF6G27-135 | NDFP03N150CG | 2SK2136 | UPA2451BTL | SHD225611 | 2SK2135
History: IXTH5N100 | BLF6G27-135 | NDFP03N150CG | 2SK2136 | UPA2451BTL | SHD225611 | 2SK2135



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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