APL1001J MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: APL1001J
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227
Búsqueda de reemplazo de APL1001J MOSFET
APL1001J Datasheet (PDF)
apl1001j.pdf

DGAPL1001J 1000V 18.0A 0.60SISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)SINGLE DIE ISOTOP PACKAGEPOWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter UNITAPL1001JVDSS Drain-Source VoltageVolts1000ID Continuous Drain Current @ TC = 25C18A
Otros transistores... AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , IRF9540N , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL .
History: HUF76429S3ST | P1004BS | APQ13SN50AH | 2SK3676-01L | WMS048NV6HG4 | WM03N115A | AFP4435WS
History: HUF76429S3ST | P1004BS | APQ13SN50AH | 2SK3676-01L | WMS048NV6HG4 | WM03N115A | AFP4435WS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
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