APL1001J MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: APL1001J

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 775 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm

Encapsulados: SOT-227

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APL1001J datasheet

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APL1001J

D G APL1001J 1000V 18.0A 0.60 S ISOTOP "UL Recognized" File No. E145592 (S) SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter UNIT APL1001J VDSS Drain-Source Voltage Volts 1000 ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 18 A

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