Справочник MOSFET. APL1001J

 

APL1001J Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APL1001J
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227
 

 Аналог (замена) для APL1001J

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APL1001J Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  ape
 apl1001j.pdf pdf_icon

APL1001J

DGAPL1001J 1000V 18.0A 0.60SISOTOP"UL Recognized" File No. E145592 (S)SINGLE DIE ISOTOP PACKAGEPOWER MOS IVN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless otherwise specified.Symbol Parameter UNITAPL1001JVDSS Drain-Source VoltageVolts1000ID Continuous Drain Current @ TC = 25C18A

Другие MOSFET... AMR490N , AMR492N , AMR494N , AMR496N , AMR860N , AMR930N , AMS930N , APF7619WS , IRF9540N , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , APL602B2G , APL602J , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL .

History: DMG2305UX | HFP50N06A | 100N10NF

 

 
Back to Top

 


 
.