APL1001J. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: APL1001J

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 775 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm

Тип корпуса: SOT-227

Аналог (замена) для APL1001J

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APL1001J даташит

 ..1. Size:75K  ape
 apl1001j.pdf pdf_icon

APL1001J

D G APL1001J 1000V 18.0A 0.60 S ISOTOP "UL Recognized" File No. E145592 (S) SINGLE DIE ISOTOP PACKAGE POWER MOS IV N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS MAXIMUM RATINGS All Ratings TC = 25 C unless otherwise specified. Symbol Parameter UNIT APL1001J VDSS Drain-Source Voltage Volts 1000 ID Continuous Drain Current @ TC = 25 C 18 A

Другие IGBT... AMR490N, AMR492N, AMR494N, AMR496N, AMR860N, AMR930N, AMS930N, APF7619WS, SKD502T, APL501J, APL502B2G, APL502J, APL502LG, APL602B2G, APL602J, APL602LG, AUIRF1010EZSTRL