APL602B2G Todos los transistores

 

APL602B2G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: APL602B2G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 730 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1290 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.125 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247 TO-264
 

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APL602B2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1369K  ape
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APL602B2G

APL602B2(G)APL602L(G)*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.600V 49A 0.125B2LINEAR MOSFETT-MAXTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atLnear DC conditions (>100 msec).D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 PackageG

 8.1. Size:73K  ape
 apl602j.pdf pdf_icon

APL602B2G

APL602J600V 43A 0.125LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageD Higher Power DissipationGSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth

Otros transistores... AMR930N , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , 4435 , APL602J , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL , AUIRF1010ZSTRL , AUIRF1324STRL , AUIRF1404ZSTRL , AUIRF1405ZS-7P , AUIRF1405ZSTRL .

History: IRFR3711PBF | AP60SL650AFH | IXTA220N055T7

 

 
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