APL602B2G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: APL602B2G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 27 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
Тип корпуса: TO-247 TO-264
APL602B2G Datasheet (PDF)
apl602b2g apl602lg.pdf
APL602B2(G)APL602L(G)*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.600V 49A 0.125B2LINEAR MOSFETT-MAXTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atLnear DC conditions (>100 msec).D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 PackageG
apl602j.pdf
APL602J600V 43A 0.125LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageD Higher Power DissipationGSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IXTP460P2
History: IXTP460P2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918