Справочник MOSFET. APL602B2G

 

APL602B2G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: APL602B2G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 730 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.125 Ohm
   Тип корпуса: TO-247 TO-264
 

 Аналог (замена) для APL602B2G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APL602B2G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1369K  ape
 apl602b2g apl602lg.pdf pdf_icon

APL602B2G

APL602B2(G)APL602L(G)*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.600V 49A 0.125B2LINEAR MOSFETT-MAXTO-264Linear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atLnear DC conditions (>100 msec).D Higher FBSOA Popular T-MAX or TO-264 PackageG

 8.1. Size:73K  ape
 apl602j.pdf pdf_icon

APL602B2G

APL602J600V 43A 0.125LINEAR MOSFETLinear Mosfets are optimized for applications operating in the Linearregion where concurrent high voltage and high current can occur atnear DC conditions (>100 msec)."UL Recognized"ISOTOP Higher FBSOA Popular SOT-227 PackageD Higher Power DissipationGSMAXIMUM RATINGS All Ratings: TC = 25C unless oth

Другие MOSFET... AMR930N , AMS930N , APF7619WS , APL1001J , APL501J , APL502B2G , APL502J , APL502LG , 4435 , APL602J , APL602LG , AUIRF1010EZSTRL , AUIRF1010ZSTRL , AUIRF1324STRL , AUIRF1404ZSTRL , AUIRF1405ZS-7P , AUIRF1405ZSTRL .

History: FQD7N20TF | MCG30N03 | AP2763W-A | SUD45P03-15 | H10N60E | AP16N50W | IRHYB67230CM

 

 
Back to Top

 


 
.