AUIRFN8405 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AUIRFN8405 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AUIRFN8405

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 758 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: PQFN

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AUIRFN8405 datasheet

..1. Size:576K international rectifier
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AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

..2. Size:561K infineon
auirfn8405.pdf pdf_icon

0.1. Size:561K 1
auirfn8405tr.pdf pdf_icon

5.1. Size:611K international rectifier
auirfn8401.pdf pdf_icon

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8401 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175 C Operating Temperature RDS(on) typ. 3.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 4.6m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 84A Automotive Qualified * De

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