AUIRFN8405 - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

AUIRFN8405 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: AUIRFN8405
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 758 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PQFN

Аналог (замена) для AUIRFN8405

AUIRFN8405 Datasheet (PDF)

..1. Size:576K international rectifier
auirfn8405.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8405 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 1.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 2.0m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 187A Automotive Qualified *

..2. Size:561K infineon
auirfn8405.pdf

0.1. Size:561K 1
auirfn8405tr.pdf

5.1. Size:609K international rectifier
auirfn8401.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8401 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 3.6m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 4.6m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 84A Automotive Qualified * De

5.2. Size:606K international rectifier
auirfn8403.pdf

AUTOMOTIVE GRADE AUIRFN8403 Features HEXFET POWER MOSFET Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance VDSS 40V 175C Operating Temperature RDS(on) typ. 2.5m Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax max 3.3m Lead-Free, RoHS Compliant ID (Silicon Limited) 123A Automotive Qualified *

5.3. Size:611K infineon
auirfn8401.pdf