SDF5N100JAB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SDF5N100JAB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 120(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 45(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254

Otros transistores... SDF4N60 , SDF4N90JAA , SDF4N90JAB , SDF4NA100 , SDF4NA100SXH , SDF50N40JAM , SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA , IRF740 , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 , SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA .