SDF5N100JAB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF5N100JAB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Otros transistores... SDF4N60 , SDF4N90JAA , SDF4N90JAB , SDF4NA100 , SDF4NA100SXH , SDF50N40JAM , SDF50NA20GBF , SDF5N100JAA , IRF740 , SDF6N60JAA , SDF6N60JAB , SDF6N90 , SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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