SDF5N100JAB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SDF5N100JAB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 45 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF5N100JAB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF5N100JAB даташит

 6.1. Size:166K  solitron
 sdf5n100.pdf pdf_icon

SDF5N100JAB

Другие IGBT... SDF4N60, SDF4N90JAA, SDF4N90JAB, SDF4NA100, SDF4NA100SXH, SDF50N40JAM, SDF50NA20GBF, SDF5N100JAA, IRF740, SDF6N60JAA, SDF6N60JAB, SDF6N90, SDF6NA100SXH, SDF75NA20GBN, SDF85NA50HI, SDF85NA50JD, SDF9130JAA