MTB33N10E Todos los transistores

 

MTB33N10E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTB33N10E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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MTB33N10E datasheet

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MTB33N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB33N10E/D Designer's Data Sheet MTB33N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 33 AMPERES 100 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.06 OHM than any existing surface m

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MTB33N10E

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