MTB33N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTB33N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 125 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 33 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 52 nC
Tiempo de subida (tr): 164 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 678 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET MTB33N10E
MTB33N10E Datasheet (PDF)
mtb33n10e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB33N10E/DDesigner's Data SheetMTB33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 33 AMPERES100 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.06 OHMthan any existing surface m
mtb33n10erev2x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB33N10E/DDesigner's Data SheetMTB33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 33 AMPERES100 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.06 OHMthan any existing surface m
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