Справочник MOSFET. MTB33N10E

 

MTB33N10E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MTB33N10E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 678 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для MTB33N10E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB33N10E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  motorola
 mtb33n10e.pdf pdf_icon

MTB33N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB33N10E/DDesigner's Data SheetMTB33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 33 AMPERES100 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.06 OHMthan any existing surface m

 0.1. Size:266K  motorola
 mtb33n10erev2x.pdf pdf_icon

MTB33N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB33N10E/DDesigner's Data SheetMTB33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 33 AMPERES100 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.06 OHMthan any existing surface m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.