MTB33N10E MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MTB33N10E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 33 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 52 nC
Время нарастания (tr): 164 ns
Выходная емкость (Cd): 678 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.06 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
MTB33N10E Datasheet (PDF)
mtb33n10e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB33N10E/DDesigner's Data SheetMTB33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 33 AMPERES100 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.06 OHMthan any existing surface m
mtb33n10erev2x.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTB33N10E/DDesigner's Data SheetMTB33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DeviceHigh Energy Power FETD2PAK for Surface MountTMOS POWER FETNChannel EnhancementMode Silicon Gate 33 AMPERES100 VOLTSThe D2PAK package has the capability of housing a larger dieRDS(on) = 0.06 OHMthan any existing surface m
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
