MTB33N10E - описание и поиск аналогов

 

MTB33N10E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MTB33N10E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 678 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для MTB33N10E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MTB33N10E даташит

 ..1. Size:229K  motorola
 mtb33n10e.pdf pdf_icon

MTB33N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB33N10E/D Designer's Data Sheet MTB33N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 33 AMPERES 100 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.06 OHM than any existing surface m

 0.1. Size:266K  motorola
 mtb33n10erev2x.pdf pdf_icon

MTB33N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTB33N10E/D Designer's Data Sheet MTB33N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device High Energy Power FET D2PAK for Surface Mount TMOS POWER FET N Channel Enhancement Mode Silicon Gate 33 AMPERES 100 VOLTS The D2PAK package has the capability of housing a larger die RDS(on) = 0.06 OHM than any existing surface m

Другие MOSFET... AUIRLS3114Z , AUIRLSL4030 , AUIRLU024Z , AUIRLZ24NL , AUIRLZ24NS , AUXFS4409 , MTP15N15 , MTB20N20E , SI2302 , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z .

History: FCP104N60 | FDB024N08BL7

 

 

 

 

↑ Back to Top
.