MTP33N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MTP33N10E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 52 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MTP33N10E MOSFET
MTP33N10E Datasheet (PDF)
mtp33n10e.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP33N10E/DDesigner's Data SheetMTP33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high33 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSeffi
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History: NVD5890N
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