MTP33N10E Todos los transistores

 

MTP33N10E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MTP33N10E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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MTP33N10E Datasheet (PDF)

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MTP33N10E

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP33N10E/DDesigner's Data SheetMTP33N10ETMOS E-FET.Motorola Preferred DevicePower Field Effect TransistorNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced TMOS EFET is designed to withstand high33 AMPERESenergy in the avalanche and commutation modes. The new energy100 VOLTSeffi

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MTP33N10E

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MTP33N10E

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFETJMTP330N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free platingID(@VGS=10V) 5 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

Otros transistores... AUXFS4409 , MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , IRFB31N20D , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD .

History: MTB33N10E | PHD45N03LTA | FDP4D5N10C | 2N7012 | IXFP16N50P3

 

 
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