MTP33N10E Todos los transistores

 

MTP33N10E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MTP33N10E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 33 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 164 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 678 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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MTP33N10E datasheet

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MTP33N10E

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP33N10E/D Designer's Data Sheet MTP33N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 33 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 100 VOLTS effi

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MTP33N10E

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MTP33N10E

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFET JMTP330N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) 5 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

Otros transistores... AUXFS4409 , MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , IRF2807 , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD .

 

 

 

 

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