MTP33N10E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MTP33N10E
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 164 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 678 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для MTP33N10E
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MTP33N10E даташит
mtp33n10e.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP33N10E/D Designer's Data Sheet MTP33N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 33 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 100 VOLTS effi
mtp33n10e .pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by MTP33N10E/D Designer's Data Sheet MTP33N10E TMOS E-FET. Motorola Preferred Device Power Field Effect Transistor N Channel Enhancement Mode Silicon Gate TMOS POWER FET This advanced TMOS E FET is designed to withstand high 33 AMPERES energy in the avalanche and commutation modes. The new energy 100 VOLTS effi
jmtp330n06d.pdf
60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFET JMTP330N06D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) 5 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma
Другие MOSFET... AUXFS4409 , MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , IRF2807 , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD .
History: HUF75852G3F085 | FDMS3626S
History: HUF75852G3F085 | FDMS3626S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
60r190p datasheet | cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet



