BUZ172 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ172
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Encapsulados: TO-220AB
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BUZ172 datasheet
buz172.pdf
BUZ 172 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 37 C -5.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -22 Avalanche energy, single pulse EAS
buz172.pdf
Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172 FEATURES With TO-220 package Low input capacitance and gate charges Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU
buz171.pdf
BUZ 171 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -8 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -32 Avalanche energy, single pulse EAS mJ
buz173.pdf
BUZ 173 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -3.6 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -14 Avalanche energy, single pulse EAS
Otros transistores... MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , STF13NM60N , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD .
History: IRF1503LPBF | J308 | IRF9130 | IRF843
History: IRF1503LPBF | J308 | IRF9130 | IRF843
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Liste
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MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
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