BUZ172 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUZ172
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BUZ172
BUZ172 Datasheet (PDF)
buz172.pdf
BUZ 172SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 37 C -5.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -22Avalanche energy, single pulse EAS
buz172.pdf
Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172FEATURESWith TO-220 packageLow input capacitance and gate chargesLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
buz171.pdf
BUZ 171SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C -8Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -32Avalanche energy, single pulse EAS mJ
buz173.pdf
BUZ 173SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C -3.6Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -14Avalanche energy, single pulse EAS
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: BUZ901P
History: BUZ901P
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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