BUZ172 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ172
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
BUZ172 Datasheet (PDF)
buz172.pdf
BUZ 172SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 37 C -5.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -22Avalanche energy, single pulse EAS
buz172.pdf
Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172FEATURESWith TO-220 packageLow input capacitance and gate chargesLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsLoad switchPower managementABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALU
buz171.pdf
BUZ 171SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C -8Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -32Avalanche energy, single pulse EAS mJ
buz173.pdf
BUZ 173SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche ratedPin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 30 C -3.6Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C -14Avalanche energy, single pulse EAS
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918