BUZ172. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUZ172
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для BUZ172
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
BUZ172 даташит
buz172.pdf
BUZ 172 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 172 -100 V -5.5 A 0.6 TO-220 AB C67078-S1451-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 37 C -5.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -22 Avalanche energy, single pulse EAS
buz172.pdf
Isc P-Channel MOSFET Transistor BUZ172 FEATURES With TO-220 package Low input capacitance and gate charges Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications Load switch Power management ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALU
buz171.pdf
BUZ 171 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 171 -50 V -8 A 0.3 TO-220 AB C67078-S1450-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -8 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -32 Avalanche energy, single pulse EAS mJ
buz173.pdf
BUZ 173 SIPMOS Power Transistor P channel Enhancement mode Avalanche rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 173 -200 V -3.6 A 1.5 TO-220 AB C67078-S1452-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 30 C -3.6 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C -14 Avalanche energy, single pulse EAS
Другие MOSFET... MTP15N15 , MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , STF13NM60N , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet



