FCB199N65S3 Todos los transistores

 

FCB199N65S3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FCB199N65S3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm

Encapsulados: D2PAK TO-263

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FCB199N65S3 datasheet

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FCB199N65S3

FCB199N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 14 A, 199 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advance technology is tailored

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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FCB199N65S3

Isc N-Channel MOSFET Transistor FCB199N65S3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

Otros transistores... MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , BUZ172 , IRFZ24N , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L .

History: IRF1503LPBF | J308 | IRF9130 | IRF843

 

 

 

 

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