Справочник MOSFET. FCB199N65S3

 

FCB199N65S3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FCB199N65S3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263
 

 Аналог (замена) для FCB199N65S3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB199N65S3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  onsemi
 fcb199n65s3.pdf pdf_icon

FCB199N65S3

FCB199N65S3MOSFET Power, N-Channel,SUPERFET III, Easy Drive650 V, 14 A, 199 mWDescriptionwww.onsemi.comSUPERFET III MOSFET is ON Semiconductors brand-new highvoltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing chargebalance technology for outstanding low on-resistance and lower gateVDSS RDS(ON) MAX ID MAXcharge performance. This advance technology is tailored

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fcb199n65s3.pdf pdf_icon

FCB199N65S3

Isc N-Channel MOSFET Transistor FCB199N65S3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXFH34N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.