FCB199N65S3 - описание и поиск аналогов

 

FCB199N65S3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCB199N65S3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm

Тип корпуса: D2PAK TO-263

Аналог (замена) для FCB199N65S3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCB199N65S3 даташит

 ..1. Size:286K  onsemi
 fcb199n65s3.pdf pdf_icon

FCB199N65S3

FCB199N65S3 MOSFET Power, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive 650 V, 14 A, 199 mW Description www.onsemi.com SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate VDSS RDS(ON) MAX ID MAX charge performance. This advance technology is tailored

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fcb199n65s3.pdf pdf_icon

FCB199N65S3

Isc N-Channel MOSFET Transistor FCB199N65S3 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source V

Другие MOSFET... MTB20N20E , MTB33N10E , FDP2D3N10C , FDP4D5N10C , FQI70N08 , 2SK4145 , MTP33N10E , BUZ172 , IRFZ24N , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.