FMH35N60S1FD Todos los transistores

 

FMH35N60S1FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMH35N60S1FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FMH35N60S1FD Datasheet (PDF)

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FMH35N60S1FD

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH35N60S1FD FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-3P(Q) 3.2 0.115.5max1.50.213 0.24.50.2Low switching loss 10 0.2easy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)Applica

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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FMH35N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH35N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Otros transistores... MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , IRF730 , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N .

History: IPP60R190P6 | IRFF220 | 2N6792SM | IRF9610 | FX20KMJ-2 | STP5N90FI

 

 
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