FMH35N60S1FD Todos los transistores

 

FMH35N60S1FD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FMH35N60S1FD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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FMH35N60S1FD datasheet

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FMH35N60S1FD

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMH35N60S1FD FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-3P(Q) 3.2 0.1 15.5max 1.5 0.2 13 0.2 4.5 0.2 Low switching loss 10 0.2 easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applica

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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FMH35N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH35N60S1FD FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drai

Otros transistores... MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , IRFB31N20D , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N .

 

 

 

 

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