Справочник MOSFET. FMH35N60S1FD

 

FMH35N60S1FD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FMH35N60S1FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P

 Аналог (замена) для FMH35N60S1FD

 

 

FMH35N60S1FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  fuji
 fmh35n60s1fd.pdf

FMH35N60S1FD FMH35N60S1FD

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH35N60S1FD FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematicLow on-state resistanceTO-3P(Q) 3.2 0.115.5max1.50.213 0.24.50.2Low switching loss 10 0.2easy to use (more controllabe switching dV/dt by R )gDrain(D)Applica

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fmh35n60s1fd.pdf

FMH35N60S1FD FMH35N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH35N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXFN30N120P

 

 
Back to Top