FMH35N60S1FD - описание и поиск аналогов

 

FMH35N60S1FD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FMH35N60S1FD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для FMH35N60S1FD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH35N60S1FD даташит

 ..1. Size:671K  fuji
 fmh35n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH35N60S1FD

http //www.fujielectric.com/products/semiconductor/ FMH35N60S1FD FUJI POWER MOSFET Super J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFET Features Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic Low on-state resistance TO-3P(Q) 3.2 0.1 15.5max 1.5 0.2 13 0.2 4.5 0.2 Low switching loss 10 0.2 easy to use (more controllabe switching dV/dt by R ) g Drain(D) Applica

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fmh35n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH35N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH35N60S1FD FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drai

Другие MOSFET... MTP33N10E , BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , IRFB31N20D , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.