FMH40N60S1FD Todos los transistores

 

FMH40N60S1FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FMH40N60S1FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 315 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 104 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 83 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.093 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-3P
 

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FMH40N60S1FD Datasheet (PDF)

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FMH40N60S1FD

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH40N60S1FD FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic15.5max 3.2 0.1Pb-free lead terminalTO-3P1.50.213 0.2 4.5 0.24.50.210 0.2 1.5 0.2RoHS compliantDrainApplicationsFor switching+0.3 +0.31.6 -0.1 -0.

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
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FMH40N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH40N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

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