Справочник MOSFET. FMH40N60S1FD

 

FMH40N60S1FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH40N60S1FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FMH40N60S1FD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH40N60S1FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  fuji
 fmh40n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH40N60S1FD

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH40N60S1FD FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic15.5max 3.2 0.1Pb-free lead terminalTO-3P1.50.213 0.2 4.5 0.24.50.210 0.2 1.5 0.2RoHS compliantDrainApplicationsFor switching+0.3 +0.31.6 -0.1 -0.

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fmh40n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH40N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH40N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... BUZ172 , FCB199N65S3 , FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , IRFZ48N , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N , IPB027N10N3 .

History: FDP5N60NZ | AO4314 | SIHP6N65E | 2N7271H4 | NTTFS5826NL | SIHP7N60E | VN0300

 

 
Back to Top

 


 
.