Справочник MOSFET. FMH40N60S1FD

 

FMH40N60S1FD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FMH40N60S1FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 315 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 104 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
 

 Аналог (замена) для FMH40N60S1FD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FMH40N60S1FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:685K  fuji
 fmh40n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH40N60S1FD

http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/FMH40N60S1FD FUJI POWER MOSFETSuper J-MOS series N-Channel enhancement mode power MOSFETFeatures Outline Drawings [mm] Equivalent circuit schematic15.5max 3.2 0.1Pb-free lead terminalTO-3P1.50.213 0.2 4.5 0.24.50.210 0.2 1.5 0.2RoHS compliantDrainApplicationsFor switching+0.3 +0.31.6 -0.1 -0.

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fmh40n60s1fd.pdf pdf_icon

FMH40N60S1FD

isc N-Channel MOSFET Transistor FMH40N60S1FDFEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drai

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.