FQB70N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQB70N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 155 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 300 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 790 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
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FQB70N08 Datasheet (PDF)
fqb70n08 fqi70n08.pdf
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