FQB70N08 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQB70N08 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
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FQB70N08 datasheet
fqb70n08 fqi70n08.pdf
August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB70N08 / FQI70N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 80V, RDS(on) = 0.017 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 180 pF) This advanced technology
fqb70n08.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor FQB70N08 FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Volt
fqb70n10tm am002.pdf
August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB70N10 / FQI70N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 57A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF) This advanced technolo
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: 2N60G-T60-K | IRFH8318PBF | IRFB3806
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