FQB70N08 Todos los transistores

 

FQB70N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB70N08
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 155 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 75 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
 
   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQB70N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 fqb70n08 fqi70n08.pdf pdf_icon

FQB70N08

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N08 / FQI70N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 80V, RDS(on) = 0.017 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 180 pF)This advanced technology

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fqb70n08.pdf pdf_icon

FQB70N08

Isc N-Channel MOSFET Transistor FQB70N08FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

 8.1. Size:646K  fairchild semi
 fqb70n10tm am002.pdf pdf_icon

FQB70N08

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N10 / FQI70N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 57A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF)This advanced technolo

Otros transistores... FCP650N80Z , FCPF099N65S3 , FDPF2D3N10C , FDPF4D5N10C , IPF060N03L , FMH35N60S1FD , FMH40N60S1FD , IPF075N03L , MMIS60R580P , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N , IPB027N10N3 , IPB029N06N3 , IPB031NE7N3 .

 

 
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