Справочник MOSFET. FQB70N08

 

FQB70N08 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQB70N08
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 155 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 75 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK TO-263
 

 Аналог (замена) для FQB70N08

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB70N08 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:678K  fairchild semi
 fqb70n08 fqi70n08.pdf pdf_icon

FQB70N08

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N08 / FQI70N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 70A, 80V, RDS(on) = 0.017 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 180 pF)This advanced technology

 ..2. Size:258K  inchange semiconductor
 fqb70n08.pdf pdf_icon

FQB70N08

Isc N-Channel MOSFET Transistor FQB70N08FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Volt

 8.1. Size:646K  fairchild semi
 fqb70n10tm am002.pdf pdf_icon

FQB70N08

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB70N10 / FQI70N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 57A, 100V, RDS(on) = 0.023 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF)This advanced technolo

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.