IPB027N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB027N10N3
Código: 027N10N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 155 nC
Tiempo de subida (tr): 58 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1940 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0027 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB027N10N3
IPB027N10N3 Datasheet (PDF)
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
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IPB027N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
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History: SFB024N100C3 | SVGP104R5NASTR