IPB027N10N3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPB027N10N3
Código: 027N10N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 155 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 58 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1940 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0027 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK TO-263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPB027N10N3
IPB027N10N3 Datasheet (PDF)
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Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
ipb027n10n3g.pdf
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Liste
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