IPB027N10N3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IPB027N10N3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1940 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0027 Ohm
Тип корпуса: D2PAK TO-263
Аналог (замена) для IPB027N10N3
IPB027N10N3 Datasheet (PDF)
ipb027n10n3.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N3FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
ipb027n10n3g.pdf

IPB027N10N3 G 3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 1 D Q ' 381>>5?B=1
ipb027n10n5.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOS 5 Power-Transistor, 100 VIPB027N10N5DPAK1 DescriptionFeatures Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista
ipb027n10n5.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IPB027N10N5FEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source V
Другие MOSFET... FMH40N60S1FD , IPF075N03L , FQB70N08 , FTP03N03N , IPB015N04N , IPB019N06L3 , IPB020N10N5LF , IPB023N04N , 8N60 , IPB029N06N3 , IPB031NE7N3 , IPB033N10N5LF , IPB037N06N3 , IPB039N04L , IPB041N04N , IPB049N06L3 , IPB049NE7N3 .
History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D
History: VBE2102M | OSG80R380HF | QM3018D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet