IPS12CN10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPS12CN10L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK TO-251
Búsqueda de reemplazo de IPS12CN10L MOSFET
IPS12CN10L Datasheet (PDF)
ips12cn10l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf
IPS12CN10L GIPP12CN10L GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V N-channel, logic levelRDS(on),max 12mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 69 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high
Otros transistores... IPB60R230P6 , IPB60R280P7 , IPB60R330P6 , IPB60R360P7 , IPB60R380P6 , IPB60R600P6 , IPP60R360P7 , IPS110N12N3 , IRLZ44N , IPS60R3K4CE , IPS60R400CE , IPS65R400CE , IPS70R1K4CE , IPS70R950CE , IPU050N03L , IPU060N03L , IPU075N03L .
Liste
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