IPS12CN10L Todos los transistores

 

IPS12CN10L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPS12CN10L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 528 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0118 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK TO-251
 

 Búsqueda de reemplazo de IPS12CN10L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPS12CN10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
 ips12cn10l.pdf pdf_icon

IPS12CN10L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:614K  infineon
 ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf pdf_icon

IPS12CN10L

IPS12CN10L GIPP12CN10L GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V N-channel, logic levelRDS(on),max 12mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 69 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

Otros transistores... IPB60R230P6 , IPB60R280P7 , IPB60R330P6 , IPB60R360P7 , IPB60R380P6 , IPB60R600P6 , IPP60R360P7 , IPS110N12N3 , 2N7000 , IPS60R3K4CE , IPS60R400CE , IPS65R400CE , IPS70R1K4CE , IPS70R950CE , IPU050N03L , IPU060N03L , IPU075N03L .

History: IRFM3205 | 8N60L-TF3-T | 2SK3592-01SJ | LSGG04R035 | IPD034N06N3G | OSG95R1K2PF | STD60NF55LT4

 

 
Back to Top

 


 
.