IPS12CN10L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPS12CN10L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm

Тип корпуса: IPAK TO-251

Аналог (замена) для IPS12CN10L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS12CN10L даташит

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
 ips12cn10l.pdf pdf_icon

IPS12CN10L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10L FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:614K  infineon
 ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf pdf_icon

IPS12CN10L

IPS12CN10L G IPP12CN10L G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, logic level RDS(on),max 12 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 69 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

Другие IGBT... IPB60R230P6, IPB60R280P7, IPB60R330P6, IPB60R360P7, IPB60R380P6, IPB60R600P6, IPP60R360P7, IPS110N12N3, AON7408, IPS60R3K4CE, IPS60R400CE, IPS65R400CE, IPS70R1K4CE, IPS70R950CE, IPU050N03L, IPU060N03L, IPU075N03L