Справочник MOSFET. IPS12CN10L

 

IPS12CN10L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPS12CN10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 528 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: IPAK TO-251
 

 Аналог (замена) для IPS12CN10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPS12CN10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
 ips12cn10l.pdf pdf_icon

IPS12CN10L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:614K  infineon
 ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf pdf_icon

IPS12CN10L

IPS12CN10L GIPP12CN10L GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V N-channel, logic levelRDS(on),max 12mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 69 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

Другие MOSFET... IPB60R230P6 , IPB60R280P7 , IPB60R330P6 , IPB60R360P7 , IPB60R380P6 , IPB60R600P6 , IPP60R360P7 , IPS110N12N3 , 2N7000 , IPS60R3K4CE , IPS60R400CE , IPS65R400CE , IPS70R1K4CE , IPS70R950CE , IPU050N03L , IPU060N03L , IPU075N03L .

History: AOB409L | NTJS4405NT1 | NCE85H21C | HTD2K4P15T | SHD225628

 

 
Back to Top

 


 
.