Справочник MOSFET. IPS12CN10L

 

IPS12CN10L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPS12CN10L
   Маркировка: 12CN10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 69 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 58 nC
   Время нарастания (tr): 9 ns
   Выходная емкость (Cd): 528 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0118 Ohm
   Тип корпуса: IPAK TO-251

 Аналог (замена) для IPS12CN10L

 

 

IPS12CN10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  inchange semiconductor
ips12cn10l.pdf

IPS12CN10L
IPS12CN10L

isc N-Channel MOSFET Transistor IPS12CN10LFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE

 0.1. Size:614K  infineon
ipp12cn10l-g ips12cn10l-g.pdf

IPS12CN10L
IPS12CN10L

IPS12CN10L GIPP12CN10L GOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 100 V N-channel, logic levelRDS(on),max 12mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 69 A Very low on-resistance RDS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Ideal for high

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top