SDF9230JAB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SDF9230JAB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO254
Búsqueda de reemplazo de SDF9230JAB MOSFET
SDF9230JAB datasheet
sdf920ne.pdf
SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 m Dual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat
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History: AGM038N10A | AGM20P22AS | MS4541C | AOSP32320C | CTLDM8002A-M621H | AGM12T12D | AGM30P25D
History: AGM038N10A | AGM20P22AS | MS4541C | AOSP32320C | CTLDM8002A-M621H | AGM12T12D | AGM30P25D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
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