SDF9230JAB Todos los transistores

 

SDF9230JAB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SDF9230JAB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 100(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254
 

 Búsqueda de reemplazo de SDF9230JAB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

SDF9230JAB Datasheet (PDF)

 7.1. Size:164K  solitron
 sdf9230.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

 9.1. Size:753K  secos
 sdf920ne.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 mDual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat

 9.2. Size:70K  solitron
 sdf9240.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

Otros transistores... SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , SDF9230JAA , IRF630 , SDF9240 , SDF9N100GAF-D , SDF9N100GAF-S , SDF9N100GAF-U , SDF9N100JEA-D , SDF9N100JEA-S , SDF9N100JEA-U , SDF9N100JEB-D .

History: 2SJ484

 

 
Back to Top

 


 
.