SDF9230JAB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SDF9230JAB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO254

Аналог (замена) для SDF9230JAB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF9230JAB даташит

 7.1. Size:164K  solitron
 sdf9230.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

 9.1. Size:753K  secos
 sdf920ne.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 m Dual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat

 9.2. Size:70K  solitron
 sdf9240.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

Другие IGBT... SDF6NA100SXH, SDF75NA20GBN, SDF85NA50HI, SDF85NA50JD, SDF9130JAA, SDF9130JAB, SDF9140, SDF9230JAA, IRF640N, SDF9240, SDF9N100GAF-D, SDF9N100GAF-S, SDF9N100GAF-U, SDF9N100JEA-D, SDF9N100JEA-S, SDF9N100JEA-U, SDF9N100JEB-D