SDF9230JAB - аналоги и даташиты транзистора

 

SDF9230JAB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SDF9230JAB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO254
 

 Аналог (замена) для SDF9230JAB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SDF9230JAB Datasheet (PDF)

 7.1. Size:164K  solitron
 sdf9230.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

 9.1. Size:753K  secos
 sdf920ne.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

SDF920NE 11A, 20V, RDS(ON) 22 mDual N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET Elektronische Bauelemente RoHS Compliant Product A suffix of -C specifies halogen & lead-free DESCRIPTION DFN2x5 These miniature surface mount MOSFETs utilize a high cell density trench process to provide low RDS(on) and to ensure minimal power loss and heat dissipation. Typical applicat

 9.2. Size:70K  solitron
 sdf9240.pdf pdf_icon

SDF9230JAB

Другие MOSFET... SDF6NA100SXH , SDF75NA20GBN , SDF85NA50HI , SDF85NA50JD , SDF9130JAA , SDF9130JAB , SDF9140 , SDF9230JAA , IRF630 , SDF9240 , SDF9N100GAF-D , SDF9N100GAF-S , SDF9N100GAF-U , SDF9N100JEA-D , SDF9N100JEA-S , SDF9N100JEA-U , SDF9N100JEB-D .

History: IRFP460 | FDM15-06KC5

 

 
Back to Top

 


 
.