NVD4C05NT4G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVD4C05NT4G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 57 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 725 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0041 Ohm

Encapsulados: DPAK TO-252

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NVD4C05NT4G datasheet

 ..1. Size:262K  inchange semiconductor
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NVD4C05NT4G

Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4G FEATURES With To-252(DPAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

 6.1. Size:55K  onsemi
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NVD4C05NT4G

NVD4C05N Product Preview Power MOSFET 30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-Channel Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.1 mW @ 10 V 30 V 90 A Compliant 6.0 mW @ 4.5 V MAXIMUM R

Otros transistores... IXFQ8N85X, IXFY36N20X3, IXTA12N70X2, IXTP230N04T4M, MFT60N12T22FS, MMD60R580QRH, MTD300N20J3, NTHL040N65S3F, HY1906P, IXTH12N70X2, PSMN3R7-100BSE, R6018JNX, SIHG47N60AEF, STD140N6F7, STH140N6F7, STP140N6F7, SUP70060E