NVD4C05NT4G Todos los transistores

 

NVD4C05NT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVD4C05NT4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 57 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 90 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.2 V

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0041 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK, TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVD4C05NT4G

 

NVD4C05NT4G Datasheet (PDF)

1.1. nvd4c05nt4g.pdf Size:262K _inchange_semiconductor

NVD4C05NT4G
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Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4G ·FEATURES ·With To-252(DPAK) package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

2.1. nvd4c05n.pdf Size:55K _update_mosfet

NVD4C05NT4G
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NVD4C05N Product Preview Power MOSFET 30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-Channel Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.1 mW @ 10 V 30 V 90 A Compliant 6.0 mW @ 4.5 V MAXIMUM R

 

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