Справочник MOSFET. NVD4C05NT4G

 

NVD4C05NT4G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVD4C05NT4G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 57 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.2 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 90 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0041 Ohm

Тип корпуса: DPAK, TO-252

Аналог (замена) для NVD4C05NT4G

 

 

NVD4C05NT4G Datasheet (PDF)

1.1. nvd4c05nt4g.pdf Size:262K _inchange_semiconductor

NVD4C05NT4G
NVD4C05NT4G

Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4G ·FEATURES ·With To-252(DPAK) package ·Low input capacitance and gate charge ·Low gate input resistance ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ·APPLICATIONS ·Switching applications ·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25℃) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Vo

2.1. nvd4c05n.pdf Size:55K _update_mosfet

NVD4C05NT4G
NVD4C05NT4G

NVD4C05N Product Preview Power MOSFET 30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-Channel Features • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable V(BR)DSS RDS(on) ID • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.1 mW @ 10 V 30 V 90 A Compliant 6.0 mW @ 4.5 V MAXIMUM R

 

Другие MOSFET... CEM2401 , CEM2407 , CEM3053 , CEM3083 , CEM3301 , CEM3307 , CEM3317 , CEM3405L , BUZ10 , CEM4201 , CEM4207 , CEM4301 , CEM4311 , CEM4435A , CEM4948 , CEM4953 , CEM4953A .

 

 
Back to Top