Справочник MOSFET. NVD4C05NT4G

 

NVD4C05NT4G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVD4C05NT4G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 725 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0041 Ohm
   Тип корпуса: DPAK TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVD4C05NT4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  inchange semiconductor
 nvd4c05nt4g.pdf pdf_icon

NVD4C05NT4G

Isc N-Channel MOSFET Transistor NVD4C05NT4GFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vo

 6.1. Size:55K  onsemi
 nvd4c05n.pdf pdf_icon

NVD4C05NT4G

NVD4C05NProduct PreviewPower MOSFET30 V, 4.1 mW, 90 A, Single N-ChannelFeatures Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses AEC-Q101 Qualified and PPAP CapableV(BR)DSS RDS(on) ID These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS4.1 mW @ 10 V30 V 90 ACompliant6.0 mW @ 4.5 VMAXIMUM R

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFHM8329 | BF964S | APT50M50JVR | BSC032N03SG | APM9946K | RU4068L | NCE18ND11U

 

 
Back to Top

 


 
.